F系列部分耗盡硅面壘型輻射探測(cè)器

產(chǎn)品型號(hào)：
廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間：2025-07-25
訪(fǎng) 問(wèn) 量：29

簡(jiǎn)要描述：主要應(yīng)用重離子譜學(xué)

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產(chǎn)品詳情

主要應(yīng)用
重離子譜學(xué)。

資料 +
- F系列宣傳冊(cè)
- F系列宣傳冊(cè)（A4）

安裝布局 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”；即硅晶片在其環(huán)上，沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。

B 背面的Microdot連接器。

C 背面的BNC連接器。

尺寸以毫米為單位。

探測(cè)器尺寸(mm²)	W (標(biāo)稱(chēng))	A型		B型后Microdot			C型后BNC
探測(cè)器尺寸(mm²)	W (標(biāo)稱(chēng))	X	Y	X	Y	Z	X	Y	Z
100	11.3	22.0	3.7	23.6	12.3	7.1	23.6	12.3	15.9
300	19.5	27.1	3.7	28.6	12.3	7.1	28.6	12.3	15.9
400	22.6	30.5	3.7	32.0	12.3	7.1	32.0	12.3	15.9
600	27.6	34.1	3.7	36.1	12.3	7.1	36.1	12.3	15.9
900	33.9	43.2	3.7	45.2	12.3	7.1	45.2	12.3	15.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

訂購(gòu)信息 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

除非另有說(shuō)明，否則提供B安裝座。

*所有標(biāo)準(zhǔn)重離子探測(cè)器都以特定的角度從母晶體上偏軸切割，這將限度地減少離子穿隧效應(yīng)。除非以適當(dāng)?shù)淖帜盖熬Y另行指定，否則提供B安裝座。

**>特殊訂單的深度更大。

†場(chǎng)強(qiáng)≥15 kV/cm。

注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買(mǎi)新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。

有效面積 (mm²)	噪聲（keV）	≥60 μm 部分耗盡
有效面積 (mm²)	噪聲（keV）	型號(hào)
100	18	F-018-100-60
300	23	F-023-300-60
400	28	F-028-400-60
600	33	F-033-600-60
900	35	F-035-900-60